解决插图显示了9-AGNR基的FET的草图以及9-AGNR的分子结构。

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【图文导读】Figure1.多尺度晶体缺陷的化学修饰状态及其对不同频率声子散射的示意图(a)点缺陷，电力包含空位，置换原子以及间隙原子。Figure2.三维原子探针APT示意图待测试样为针尖状样品，需求响应效其尖端半径在20-100nm左右，需求响应效其分析深度对于硫属化合物热电材料通常能够大于500nm（具体依赖于样品的蒸发电场以及制备情况）。